R
X
G
страница:

MGY25N120


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
MGY25N120 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, применение: Мощный транзистор универсального назначения
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MGY25N120
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GN12050E
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MGY25N120


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
MGY25N120 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, применение: Мощный транзистор универсального назначения
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MGY25N120
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GN12050E
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MGY25N120


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
MGY25N120 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, применение: Мощный транзистор универсального назначения
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MGY25N120
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GN12050E
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

GN12050E


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY25N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
fT -
TJ -
GN12050E - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 50A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: GN12050E
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GN12050E


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY25N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
fT -
TJ -
GN12050E - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 50A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: GN12050E
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GN12050E


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY25N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
fT -
TJ -
GN12050E - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 50A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: GN12050E
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией